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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																			Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	极性	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型
IXFQ80N25X3	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16@10V	无	功率MOSFET	Enhancement	1	250	±20	4.5	80	100	5	83@10V	83	5430@25V	390000	8	17	65	30	-55	150											Compliant	EAR99	无						活跃																			Single																		N
BSS138PS,115	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	332 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150	表面贴装	1(Max)	1.35(Max)	2.2(Max)	6	TSSOP										Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	有	Unknown	小信号	TMOS	Enhancement	2	60	±20	1.5	0.32	100	1	1600@10V	[email protected]		38@10V	420	4	3	9	2	-55			卷带				活跃														6					Dual																		N
PMZB290UNE,315	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	DFN-B										Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	无	无	小信号	TMOS	Enhancement	1	20	8	1	[email protected]	[email protected]	55@10V	715	31		4	86	6	-55	150	表面贴装	0.36(Max)		0.6	1	3		卷带				Obsolete														3					Single																		N
IXTB1909	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	IXYS				Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	PolarHV	Enhancement	1	500	±20	3.5	100	200	50	49@10V	310@10V	310	21@25V		1250000	35	200	91	49	-55	150	活跃									*			Custom																			Single																		N
SPI20N65C3HKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	650	±20	20.7	190@10V	87@10V	87	2400@25V	208000	4.5	5		67	10	-55	150	通孔	9.25	4.4		10		Tube				Obsolete														3					Single																		N
BSO119N03SXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Gull-wing										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	9	11.9@10V	10@5V	1300@15V	1560	2.8	3.8	18		4.3	-55	150	表面贴装	1.47	3.94	4.9		8	SOP	DSO		卷带				Obsolete														8					单四漏三源																		N
IPD30N06S215ATMA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	136000		19	28	32	13	-55	175	表面贴装		2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	IPD30N06S215ATMA1	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	1.41	30 A							符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±20	30	14.7@10V	41@10V	41	1485@25V		卷带				Obsolete	EAR99					超低电阻				SINGLE	鸥翼	未说明	compliant	3	AEC-Q101	R-PSSO-G2			Single	增强型MOSFET		DRAIN							N-CHANNEL		TO-252			0.0147 Ω	120 A	55 V	N	240 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IPB80N06S2LH5ATMA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	1	145@10V	145	4.7@10V	5000@25V	300000	22	23	75	19	-55		175	汽车	表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	PLASTIC/EPOXY	IPB80N06S2LH5ATMA1	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.23	80 A							符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±20	2	80	100		卷带				Obsolete	EAR99					逻辑电平兼容				SINGLE	鸥翼		compliant	3		R-PSSO-G2			Single	增强型MOSFET		DRAIN							N-CHANNEL		TO-263AB			0.0062 Ω	320 A	55 V	N	700 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PSMN3R5-80PS,127	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4.7(Max)	10.3(Max)	3	Tab	TO-220AB										符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	80	20	120	3.5@10V	135@10V\|139.3@10V	139	9961@40V	338000		44	43	109	41	-55	175	通孔		9.4(Max)		Rail				活跃														3					Single																		N
MTP4N80E	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	Si	3	SILICON	3000@10V	150	通孔	9.27(Max)	4.57(Max)		10.54(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	有	MTP4N80E	RECTANGULAR	Semiconductor Technology Inc	1	接触制造商	SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC	5.75	4 A						不合规	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	800	±20	4	36@10V	36	1320@25V	125000	30	36	40	13	-55						Obsolete										SINGLE	THROUGH-HOLE		compliant	3		R-PSFM-T3			Single	增强型MOSFET									N-CHANNEL		TO-220AB			3 Ω	12 A	800 V	N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSS84AKM,315	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7500@10V								Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	有	Unknown	小信号	TMOS	Enhancement	1	50	20	0.23	0.26@5V	24@25V	715	25	11	48	13	-55	150	表面贴装	0.47(Max)	0.62(Max)		1.02(Max)	3	DFN				卷带				活跃														3					Single																		P
IRHN9230	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	3	SILICON	75000	90(Max)	90(Max)	90(Max)	50(Max)	-55	150		表面贴装	3.07(Max)	16(Max)	11.55(Max)	3	SMD-1	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHN9230	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.39	6.4 A						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	4	6.5	100	25	920@12V	45(Max)@12V	1100@25V					e0		Obsolete	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)			辐射硬化		其他晶体管		BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格		Single	增强型MOSFET									P-CHANNEL				35 A	0.8 Ω		200 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
IPI057N08N3GXKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔										符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	OptiMOS 3	Enhancement	1	80	±20	80	5.7@10V	52@10V	52	3570@40V	150000		10	66	38	18	-55	175	通孔		Tube				Unconfirmed														3					Single																		N
IPD60R950C6BTMA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	1	600	20	3.5	4.4	100	1	950@10V		13@10V	13	280@100V	37000	13	8	60		10	-55	150	表面贴装	2.41(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	小概要	PLASTIC/EPOXY	未说明	150 °C	有	IPD60R950C6BTMA1	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	7.05	TO-252	4.4 A							符合免除	EAR99	8541.21.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	CoolMOS C6	Enhancement		卷带		e3	无	Obsolete			Tin (Sn)							SINGLE	鸥翼	未说明	not_compliant	3		R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING					N-CHANNEL		TO-252			0.95 Ω	12 A	600 V	N	46 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MDP2N60TH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	3		53900	38.4	29.6	40.4	10.6	-55	150		通孔	9.65(Max)	4.83(Max)	10.67(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220	2(A)	600(V)	Military	TO-220	-55C to 150C	±30(V)	1	无	8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080	Compliant								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	600	±30	5	2	100	1	4500@10V	6.7@10V	6.7	275@25V		Tube				Obsolete		功率MOSFET		150 °C	-55 °C									3				N	Single		53.9(W)									2 A		30 V					N						无
JANTX2N6800	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	25000		35(Max)	35(Max)	55(Max)	30(Max)	-55	150	Military		通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL	METAL	未说明	150 °C	无	JANTX2N6800	ROUND	Microsemi Corporation	1	Obsolete	MICROSEMI CORP	7.65	3 A							不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	400	±20	4	3	100	25	1100@10V	33(Max)@10V	33(Max)				e0		活跃			Tin/Lead (Sn/Pb)			HIGH RELIABILITY	8541.21.00.95	FET 通用电源		BOTTOM	WIRE	未说明	not_compliant	3	MIL-19500	O-MBCY-W3	Qualified		Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING					N-CHANNEL		TO-205AF		3 A	1.1 Ω	14 A	400 V	N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	25 W		9.22(Max)
MDF1903TH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	3	8.8@10V	8.8		475@25V	33800	5.5	10.6	16.2	6.8	-55		150	通孔	15.2(Max)	4.7(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220F	通孔	8541290080	1	Compliant	未说明	有	MDF1903TH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	5.72								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	100	±20	3	12	100	1	110@10V		Tube				活跃				150 °C	-55 °C							未说明	unknown	3					Single											12 A		20 V					N						无
MDU1515URH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8	1088@15V	7.2@10V	5500	8.2	8.6	24.3	3	-55	150		表面贴装	1.1(Max)	6.1(Max)	5.1(Max)	8	DFN	DFN EP	No Lead	8541290080	1	Compliant	,	未说明	有	MDU1515URH	MagnaChip Semiconductor Ltd	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	5.72								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	±20	2.7	20.8	100	1	17.5@10V\|[email protected]	17.5		卷带				活跃				150 °C	-55 °C							未说明	unknown	8					单四漏三源		5.5 W									20.8 A		20 V					N						无
IXTT40N50L2 TRL	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	170@10V	表面贴装	5.1(Max)	14(Max)		16.05(Max)	2	Tab	TO-268	40(A)	500(V)	Military	TO-268	-55C to 150C	±20(V)	1	无										符合免除	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	40	320@10V	320	10400@25V	540000	44	133	127	50	-55	150		卷带				活跃		功率MOSFET												3				N	Single		540(W)																N
IRFC240NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies						不合规	Unknown	Unknown	Bulk		-	-	-	Obsolete		-		HEXFET®			Obsolete									MOSFET (Metal Oxide)														-		-	-	200 V	-													-
BSS138WE6433XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	0.9(Max)	1.25	2	3	SOT	SOT-323	Gull-wing	Compliant									Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	0.28	3500@10V	1@10V	1	32@25V	500	8.2		3	6.7	2.2	-55	150	汽车	表面贴装			卷带				Obsolete														3					Single																		N
MDV1525URH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	5	SILICON	1	12.6@10V\|[email protected]	12.6	811@15V	10.1@10V	3400	7.1	11.8	20	6.8	-55	150		表面贴装	0.75(Max)	3.2(Max)	3.2(Max)	8	DFN	功率 DFN EP	8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080	Non-Compliant	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5	小概要	PLASTIC/EPOXY	-55 °C	未说明	有	MDV1525URH	SQUARE	MagnaChip Semiconductor Ltd	1	活跃	MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD	1.73	24 A							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	±20	2.7	13.8	100		卷带				Obsolete										DUAL	FLAT	未说明	unknown	8		S-PDSO-F5			单四漏三源	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING					N-CHANNEL					0.0101 Ω	60 A	30 V	N	48 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IPW60R099CPXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	-55	150	通孔	20.9	5.3	15.9		3	Tab	TO-247	TO-247	通孔	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	150 °C	IPW60R099CPXK	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.76	31 A							Compliant	EAR99	Unknown	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	31	99@10V	60@10V	60	2800@100V	255000	5	5	60		10		Tube				Unconfirmed										SINGLE	THROUGH-HOLE		compliant	3		R-PSFM-T3			Single	增强型MOSFET				SWITCHING					N-CHANNEL		TO-247			0.099 Ω	93 A	600 V	N	800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MMF50R280PTH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150		通孔	16.13(Max)	4.93(Max)	10.71(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220F	通孔										Compliant	EAR99	Unknown	Unknown	功率MOSFET	超级交界处	Enhancement	1	500	±30	4	13	100	1	280@10V	28.6@10V	28.6	999@25V		32000	40	45	84	17	-55		Tube				活跃														3					Single																		N
IXTA200N055T2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1									Compliant	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TrenchT2	Enhancement	1	55	±20	200	4.2@10V	109@10V	109	6970@25V	360000	27	22	49		26	-55	175	表面贴装	4.7(Max)	9.4(Max)	10.41(Max)		2	Tab	D2PAK							活跃														3					Single																		N